Сб. Ноя 15th, 2025

Китайские ученые представили революционный 2D-чип флэш-памяти с кремнием атомной толщины

Первый в мире двухмерный чип флэш-памяти с применением технологии CMOS

Первый в мире двухмерный чип флэш-памяти, созданный на основе технологии CMOS.

В мире технологий произошло значимое событие: китайские исследователи разработали инновационный двухмерный чип флэш-памяти, в котором используется кремний атомной толщины. Эта прорывная разработка обещает существенно ускорить и повысить энергоэффективность обработки данных, что особенно актуально для развития систем искусственного интеллекта (ИИ), и может стать новым стандартом для будущих поколений устройств хранения информации.

Создание этого чипа стало результатом работы команды ученых из Фуданьского университета, чьи открытия были представлены в авторитетном научном журнале Nature.

Ключевая особенность новой технологии заключается в успешном объединении ультрабыстрого устройства флэш-памяти с комплементарной структурой металлооксидного полупроводника (CMOS) на основе кремния. Разработанный чип поддерживает восьмибитные командные операции, а также 32-битные высокоскоростные параллельные операции с произвольным доступом, демонстрируя впечатляющую производительность ячейки памяти на уровне 94,3%. Скорость работы этого чипа превосходит показатели современных технологий флэш-памяти, что делает его первой в истории инженерной реализацией гибридного флэш-чипа, использующего двухмерный кремний.

На фоне стремительного развития технологий искусственного интеллекта, спрос на более быстрый доступ к данным постоянно растет. Существующие методы хранения и передачи информации часто сталкиваются с ограничениями по скорости и характеризуются высоким энергопотреблением.

Для сравнения, стандартные кремниевые пластины, используемые в производстве чипов, обычно имеют толщину в несколько сотен микрон, а самые тонкие из них достигают нескольких десятков нанометров. В отличие от них, двухмерные полупроводниковые материалы, примененные в новой разработке, имеют толщину всего в один атом, что составляет менее 1 нанометра.

«Двухмерные полупроводники, будучи новым построением материалов, отсутствуют на всех заводах по производству интегральных микросхем в мире», – отметил руководитель исследовательской группы Чжоу Пэн.

Ученые планируют тесное сотрудничество с ведущими технологическими компаниями для дальнейшей реализации и масштабирования этого проекта. Они выражают уверенность, что новая технология способна кардинально изменить традиционную архитектуру памяти, обеспечив беспрецедентную скорость и энергоэффективность в обработке данных, что жизненно важно для прогресса ИИ и работы с огромными объемами информации.

By Артём Науменко

Артём Науменко - петербургский журналист, освещающий темы науки, общества и технологий. Автор популярного цикла статей о российских научных достижениях.

Related Post